SI2318A-TP
MOSFET N-CH SOT23-3产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装卷带（TR）
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23
功率耗散（最大值）1.2W
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）40 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）330 pF @ 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）45 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）5.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：13175制造商标准包装数量
数 量:
￥0.495
总 价:
￥0.495
卷带（TR）
数量价格
3000￥0.495
6000￥0.446
9000￥0.422
15000￥0.392
21000￥0.376
30000￥0.36
75000￥0.325
150000￥0.302
工商网监