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SI7615CDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
产品型号SI7615CDN-T1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带(TR)
描述MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
MR编号M432640348
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列TrenchFET® Gen III
包装卷带(TR)
封装/外壳PowerPAK® 1212-8
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
技术MOSFET(金属氧化物)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
功率耗散(最大值)33W(Tc)
FET 类型P 通道
漏源电压(Vdss)20 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3860 pF @ 10 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9 毫欧 @ 12A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)63 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)±8V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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现货:6687
数 量:
¥1.363
总 价:
¥1.363
卷带(TR)
数量价格
3000¥1.363
6000¥1.25
9000¥1.193
15000¥1.128
21000¥1.091
30000¥1.06
制造商标准包装数量
NXV90EPRNXV90EP/SOT23/TO-236ABNexperia USA Inc.

¥0.481详细信息

2N7002AKS-QXMOS DISCRETESNexperia USA Inc.

¥0.428详细信息

PJQ1916_R1_0020120V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MPanjit International Inc.

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