SI8812DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT产品型号SI8812DB-T2-E1
品牌Vishay Siliconix
包装卷带（TR）
描述MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
MR编号M085206207
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列TrenchFET®
包装卷带（TR）
封装/外壳4-UFBGA
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装4-Microfoot
功率耗散（最大值）500mW（Ta）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）59 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）17 nC @ 8 V
Vgs（最大值）±5V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
现货：2683制造商标准包装数量
数 量:
￥1.112
总 价:
￥1.112
卷带（TR）
数量价格
3000￥1.112
6000￥1.043
9000￥0.992
15000￥0.936
21000￥0.903
30000￥0.871
75000￥0.853
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