SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE产品型号SIDR510EP-T1-RE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带（TR）
描述N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
MR编号M383870560
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列TrenchFET® Gen V
包装卷带（TR）
封装/外壳PowerPAK® SO-8
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级-
技术MOSFET（金属氧化物）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® SO-8DC
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）100 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
现货：5944制造商标准包装数量
数 量:
￥9.641
总 价:
￥9.641
卷带（TR）
数量价格
3000￥9.641
6000￥9.279
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