SIHB100N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK产品型号SIHB100N60E-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装管件
描述MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
MR编号M815516716
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列E
包装管件
封装/外壳TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-263（D2PAK）
功率耗散（最大值）208W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）600 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1851 pF @ 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）100 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±30V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：1005制造商标准包装数量
数 量:
￥42.294
总 价:
￥42.294
管件
数量价格
1￥42.294
50￥22.315
100￥21.112
500￥19.032
1000￥16.441
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