SIHB22N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO263产品型号SIHB22N60ET1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带（TR）
描述MOSFET N-CH 600V 21A TO263
MR编号M616326279
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列E
包装卷带（TR）
封装/外壳TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级-
技术MOSFET（金属氧化物）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-263（D2PAK）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）600 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：555制造商标准包装数量
数 量:
￥15.057
总 价:
￥15.057
卷带（TR）
数量价格
800￥15.057
1600￥12.893
2400￥12.14
5600￥11.647
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