SIHD186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A DPAK产品型号SIHD186N60EF-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装管件
描述MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
MR编号M262325771
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列EF
包装管件
封装/外壳TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-252AA
功率耗散（最大值）156W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）600 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1118 pF @ 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）201 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±30V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：6640制造商标准包装数量
数 量:
￥23.381
总 价:
￥23.381
管件
数量价格
1￥23.381
50￥11.942
100￥10.83
500￥10.004
工商网监