全部分类
传感器,变送器
传感器,变送器
集成电路(IC)
集成电路(IC)
连接器,互连器件
连接器,互连器件

SIRA20BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
产品型号SIRA20BDP-T1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
MR编号M696077405
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列TrenchFET® Gen IV
包装卷带(TR)
封装/外壳PowerPAK® SO-8
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术MOSFET(金属氧化物)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)25 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
工之芯商城提供SIRA20BDP-T1-GE3引脚图查看,SIRA20BDP-T1-GE3中文资料pdf下载,SIRA20BDP-T1-GE3使用说明书查看,SIRA20BDP-T1-GE3参数pdf下载, SIRA20BDP-T1-GE3工作原理,SIRA20BDP-T1-GE3驱动电路图,SIRA20BDP-T1-GE3数据手册,SIRA20BDP-T1-GE3如何测量, SIRA20BDP-T1-GE3接线图查看
现货:8417
数 量:
¥4.323
总 价:
¥4.323
卷带(TR)
数量价格
3000¥4.323
制造商标准包装数量
IPB180N04S401ATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies

¥13.932详细信息

STB7ANM60NMOSFET N-CH 600V 5A D2PAKSTMicroelectronics

¥5.356详细信息

1214GN-700VRF MOSFET HEMT 50V 55-Q03Microchip Technology

¥0详细信息

A2T26H160-24SR3RF MOSFET LDMOS 28V NI780NXP USA Inc.

¥0详细信息

DMP4025SFG-13MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333Diodes Incorporated

¥1.451详细信息