SIRA99DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK产品型号SIRA99DP-T1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带（TR）
描述MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
MR编号M785743638
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列TrenchFET® Gen IV
包装卷带（TR）
封装/外壳PowerPAK® SO-8
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
功率耗散（最大值）6.35W（Ta），104W（Tc）
FET 类型P 通道
漏源电压（Vdss）30 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）10955 pF @ 15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47.9A（Ta），195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）+16V，-20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：5444制造商标准包装数量
数 量:
￥7.98
总 价:
￥7.980
卷带（TR）
数量价格
3000￥7.98
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