全部分类
传感器,变送器
传感器,变送器
集成电路(IC)
集成电路(IC)
连接器,互连器件
连接器,互连器件

SISH536DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
产品型号SISH536DN-T1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带(TR)
描述N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
MR编号M932201329
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列TrenchFET® Gen V
包装卷带(TR)
封装/外壳PowerPAK® 1212-8SH
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
等级-
技术MOSFET(金属氧化物)
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8SH
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)30 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
工之芯商城提供SISH536DN-T1-GE3引脚图查看,SISH536DN-T1-GE3中文资料pdf下载,SISH536DN-T1-GE3使用说明书查看,SISH536DN-T1-GE3参数pdf下载, SISH536DN-T1-GE3工作原理,SISH536DN-T1-GE3驱动电路图,SISH536DN-T1-GE3数据手册,SISH536DN-T1-GE3如何测量, SISH536DN-T1-GE3接线图查看
现货:9506
数 量:
¥1.495
总 价:
¥1.495
卷带(TR)
数量价格
3000¥1.495
6000¥1.418
9000¥1.317
30000¥1.286
制造商标准包装数量
FCPF290N80MOSFET N-CH 800V 17A TO220Fonsemi

¥31.663详细信息

IRF640SPBFMOSFET N-CH 200V 18A D2PAKVishay Siliconix

¥15.428详细信息

BLC10G18XS-602AVTYRF MOSFET LDMOS 30V SOT1258-4Ampleon USA Inc.

¥734.3详细信息

SQM120P06-07L_GE3MOSFET P-CH 60V 120A TO263Vishay Siliconix

¥15.372详细信息

ATF-58143-BLKGRF MOSFET PHEMT FET 3V SOT343Broadcom Limited

¥0详细信息