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SISS588DN-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
产品型号SISS588DN-T1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带(TR)
描述N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
MR编号M863825540
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列TrenchFET® Gen V
包装卷带(TR)
封装/外壳PowerPAK® 1212-8S
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
技术MOSFET(金属氧化物)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8S
功率耗散(最大值)4.8W(Ta),56.8W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)80 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1380 pF @ 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16.9A(Ta),58.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)28.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
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现货:6000
数 量:
¥3.756
总 价:
¥3.756
卷带(TR)
数量价格
3000¥3.756
6000¥3.532
制造商标准包装数量
DI010N03PWMOSFET POWERQFN 2X2 N 30V 10A 0.Diotec Semiconductor

¥0.98详细信息

PJA138K_R1_00001SOT-23, MOSFETPanjit International Inc.

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