全部分类
传感器,变送器
传感器,变送器
集成电路(IC)
集成电路(IC)
连接器,互连器件
连接器,互连器件

TK33S10N1L,LQ

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
产品型号TK33S10N1L,LQ
品牌Toshiba Semiconductor and Storage
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
MR编号M183824013
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列U-MOSVIII-H
包装卷带(TR)
封装/外壳TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
工作温度175°C
技术MOSFET(金属氧化物)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装DPAK+
功率耗散(最大值)125W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)100 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2250 pF @ 10 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)33A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.7 毫欧 @ 16.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)33 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
工之芯商城提供TK33S10N1L,LQ引脚图查看,TK33S10N1L,LQ中文资料pdf下载,TK33S10N1L,LQ使用说明书查看,TK33S10N1L,LQ参数pdf下载, TK33S10N1L,LQ工作原理,TK33S10N1L,LQ驱动电路图,TK33S10N1L,LQ数据手册,TK33S10N1L,LQ如何测量, TK33S10N1L,LQ接线图查看
现货:597
数 量:
¥5.581
总 价:
¥5.581
卷带(TR)
数量价格
2000¥5.581
4000¥5.521
制造商标准包装数量
DMP6023LEQ-13MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&RDiodes Incorporated

¥2.56详细信息

IRFBE30STRLPBFMOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAKVishay Siliconix

¥15.115详细信息

IRFBC30PBFMOSFET N-CH 600V 3.6A TO220ABVishay Siliconix

¥12.671详细信息

SI4490DY-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SOVishay Siliconix

¥6.945详细信息

IPP60R080P7XKSA1MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3Infineon Technologies

¥37.31详细信息