TK3R2E06PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR产品型号TK3R2E06PL,S1X
品牌Toshiba Semiconductor and Storage
包装管件
描述X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
MR编号M507467151
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装管件
封装/外壳TO-220-3
工作温度175°C
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220
功率耗散（最大值）168W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）60 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）5000 pF @ 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）71 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：120近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥17.326
总 价:
￥17.326
管件
数量价格
1￥17.326
50￥8.577
100￥7.636
500￥6.122
1000￥5.635
2000￥5.224
5000￥5.115
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