TP65H035WSQA
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装管件
封装/外壳TO-247-3
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级汽车级
技术GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
资质AEC-Q101
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
功率耗散（最大值）187W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）650 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1500 pF @ 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）41 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：540制造商标准包装数量
数 量:
￥167.012
总 价:
￥167.012
管件
数量价格
1￥167.012
60￥98.991
120￥98.606
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