TP65H070G4RS-TR
650 V 29 A GAN FET产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列SuperGaN®
包装卷带（TR）
封装/外壳16-PowerSOP 模块
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级-
技术GaNFET（氮化镓）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TOLT
功率耗散（最大值）96W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）650 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）638 pF @ 400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）85 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)3（168 小时）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：1795近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥33.199
总 价:
￥33.199
卷带（TR）
数量价格
2000￥33.199
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