TP65H150G4LSG
GAN FET N-CH 650V PQFN产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列-
包装剪切带（CT）
封装/外壳3-PowerTDFN
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级-
技术GaNFET（氮化镓）
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装3-PQFN（8x8）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）650 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：2734制造商标准包装数量
数 量:
￥36.832
总 价:
￥36.832
剪切带（CT）
数量价格
1￥36.832
10￥33.056
100￥27.084
500￥23.056
1000￥19.445
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