全部分类
传感器,变送器
传感器,变送器
集成电路(IC)
集成电路(IC)
连接器,互连器件
连接器,互连器件

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
产品型号TPN2R304PL,L1Q
品牌Toshiba Semiconductor and Storage
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
MR编号M333306743
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列U-MOSIX-H
包装卷带(TR)
封装/外壳8-PowerVDFN
工作温度175°C
技术MOSFET(金属氧化物)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-TSON Advance(3.1x3.1)
功率耗散(最大值)630mW(Ta),104W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)40 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3600 pF @ 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.3 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
工之芯商城提供TPN2R304PL,L1Q引脚图查看,TPN2R304PL,L1Q中文资料pdf下载,TPN2R304PL,L1Q使用说明书查看,TPN2R304PL,L1Q参数pdf下载, TPN2R304PL,L1Q工作原理,TPN2R304PL,L1Q驱动电路图,TPN2R304PL,L1Q数据手册,TPN2R304PL,L1Q如何测量, TPN2R304PL,L1Q接线图查看
现货:9954
数 量:
¥2.293
总 价:
¥2.293
卷带(TR)
数量价格
5000¥2.293
10000¥2.192
制造商标准包装数量
PSMNR55-40SSHJPSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88Nexperia USA Inc.

¥26.33详细信息

PJMF380N65E1_T0_00001650V/ 380MOHM SUPER JUNCTION EASPanjit International Inc.

¥10.703详细信息

BLC10G22XS-551AVTZRF MOSFET LDMOS 32V SOT1258-4Ampleon USA Inc.

¥559.052详细信息

SIHFR9310TRR-GE3MOSFET P-CHANNEL 400VVishay Siliconix

¥1.874详细信息

CGHV40100PRF MOSFET HEMT 50V 440206MACOM Technology Solutions

¥2335.231详细信息