TPW1R104PB,L1XHQ
MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP产品型号TPW1R104PB,L1XHQ
品牌Toshiba Semiconductor and Storage
包装卷带（TR）
描述MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
MR编号M766701577
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列U-MOSIX-H
包装卷带（TR）
封装/外壳8-PowerVDFN
工作温度175°C
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-DSOP Advance
功率耗散（最大值）960mW（Ta），132W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）40 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4560 pF @ 10 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.14 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：25000制造商标准包装数量
数 量:
￥6.586
总 价:
￥6.586
卷带（TR）
数量价格
5000￥6.586
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