全部分类
传感器,变送器
传感器,变送器
集成电路(IC)
集成电路(IC)
连接器,互连器件
连接器,互连器件

TPW4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
产品型号TPW4R008NH,L1Q
品牌Toshiba Semiconductor and Storage
包装卷带(TR)
描述MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
MR编号M821750341
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列U-MOSVIII-H
包装卷带(TR)
封装/外壳8-PowerVDFN
工作温度150°C(TJ)
技术MOSFET(金属氧化物)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-DSOP Advance
功率耗散(最大值)800mW(Ta),142W(Tc)
FET 类型N 通道
漏源电压(Vdss)80 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5300 pF @ 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)116A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)59 nC @ 10 V
Vgs(最大值)±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
工之芯商城提供TPW4R008NH,L1Q引脚图查看,TPW4R008NH,L1Q中文资料pdf下载,TPW4R008NH,L1Q使用说明书查看,TPW4R008NH,L1Q参数pdf下载, TPW4R008NH,L1Q工作原理,TPW4R008NH,L1Q驱动电路图,TPW4R008NH,L1Q数据手册,TPW4R008NH,L1Q如何测量, TPW4R008NH,L1Q接线图查看
现货:4650
数 量:
¥8.137
总 价:
¥8.137
卷带(TR)
数量价格
5000¥8.137
制造商标准包装数量
RSM002P03T2LMOSFET P-CH 30V 200MA VMT3Rohm Semiconductor

¥0.955详细信息

STP7N60M2MOSFET N-CH 600V 5A TO220STMicroelectronics

¥10.268详细信息

A5G35H055NT4RF MOSFET LDMOSNXP USA Inc.

¥138.138详细信息

SI4425FDY-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOICVishay Siliconix

¥1.899详细信息

BSS84AKMB,315MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3Nexperia USA Inc.

¥0.423详细信息