全部分类
传感器,变送器
传感器,变送器
集成电路(IC)
集成电路(IC)
连接器,互连器件
连接器,互连器件

WNSC5D08650T6J

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
产品型号WNSC5D08650T6J
品牌WeEn Semiconductors
包装卷带(TR)
描述
MR编号M191095869
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 二极管 整流器
系列-
包装卷带(TR)
封装/外壳4-VSFN *焊盘
等级-
技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
资质-
安装类型表面贴装型
供应商器件封装5-DFN(8x8)
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V
不同 Vr、F 时电容267pF @ 1V,1MHz
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.7 V @ 8 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏40 µA @ 650 V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
工之芯商城提供WNSC5D08650T6J引脚图查看,WNSC5D08650T6J中文资料pdf下载,WNSC5D08650T6J使用说明书查看,WNSC5D08650T6J参数pdf下载, WNSC5D08650T6J工作原理,WNSC5D08650T6J驱动电路图,WNSC5D08650T6J数据手册,WNSC5D08650T6J如何测量, WNSC5D08650T6J接线图查看
现货:0近期成交量:0
1N4148WX-TPDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323Micro Commercial Co

¥0.116详细信息

BAS16LT1GDIODE GP 100V 200MA SOT23-3onsemi

¥0.118详细信息

FDLL4148DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80onsemi

¥0.117详细信息

MMBD914LT1GDIODE GP 100V 200MA SOT23-3onsemi

¥0.141详细信息

MMBD914LT3GDIODE GP 100V 200MA SOT23-3onsemi

¥0.113详细信息