SISS98DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK产品型号SISS98DN-T1-GE3
品牌Vishay Siliconix
包装卷带（TR）
描述MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
MR编号M153283687
交货地国内
数据手册在线预览
产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
系列ThunderFET®
包装卷带（TR）
封装/外壳PowerPAK® 1212-8
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
技术MOSFET（金属氧化物）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
功率耗散（最大值）57W（Tc）
FET 类型N 通道
漏源电压（Vdss）200 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）608 pF @ 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）105 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）14 nC @ 7.5 V
Vgs（最大值）±20V
FET 功能-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态true
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：2120制造商标准包装数量
数 量:
￥3.324
总 价:
￥3.324
卷带（TR）
数量价格
3000￥3.324
6000￥3.197
9000￥3.095
工商网监